Folha de dados SI7236DP-T1-GE3
Detalhes do produto
• Halogênio-livre de acordo com a definição do IEC 61249-2-21
• MOSFET do poder de TrenchFET®
• Complacente a RoHS 2002/95/EC diretivo
• DC/DC
• Poder do sistema do caderno
• POLÍTICO
Especificações
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | ROHM |
Categoria de produto | FETs - disposições |
Série | TrenchFET® |
Empacotamento | Empacotamento alternativo |
Parte-pseudônimos | SI7236DP-GE3 |
Unidade-peso | 0,017870 onças |
Montagem-estilo | SMD/SMT |
Pacote-caso | PowerPAKR SO-8 duplo |
Tecnologia | Si |
Operar-temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagem-tipo | Montagem de superfície |
Número--canais | Canal 2 |
Fornecedor-Dispositivo-pacote | PowerPAKR SO-8 duplo |
Configuração | Duplo |
FET-tipo | N-canal 2 (duplo) |
Poder-máximo | 46W |
Transistor-tipo | N-canal 2 |
VDSS – tensão da Dreno-fonte | 20V |
Capacidade entrada | 4000pF @ 10V |
FET-característica | Padrão |
Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 60A |
RDS-Em-Máximo-identificação-Vgs | 5,2 mOhm @ 20.7A, 4.5V |
Vgs-th-Máximo-identificação | 1.5V @ 250μA |
Porta-carga-Qg-Vgs | 105nC @ 10V |
Paládio-Poder-dissipação | 3,5 W |
Temperatura de funcionamento máximo | + 150 C |
Variação da temperatura de funcionamento | - 55 C |
Queda-tempo | 22 ns 10 ns |
Elevação-tempo | 100 ns 15 ns |
Vgs-Porta-Fonte-tensão | 12 V |
Identificação (corrente do dreno) | A 20,7 |
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão | 20 V |
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência | 5,2 mOhms |
Transistor-polaridade | N-canal |
Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo | 80 ns 60 ns |
Tempo de atraso de ligação | 30 ns 10 ns |
Canal-modo | Realce |
Descrições
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: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
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