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N-canal duplo 20 V do MOSFET do transistor SI7236DP-T1-GE3 (D-S) 20V 60A PPAK SO-8
  • N-canal duplo 20 V do MOSFET do transistor SI7236DP-T1-GE3 (D-S) 20V 60A PPAK SO-8

N-canal duplo 20 V do MOSFET do transistor SI7236DP-T1-GE3 (D-S) 20V 60A PPAK SO-8

Lugar de origem Chamada
Marca ROHM
Certificação ROHS
Número do modelo SI7236DP-T1-GE3
Detalhes do produto
Nome do produto:
SI7236DP-T1-GE3
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
Montagem (dupla) -55°C da superfície do N-canal do MOSFET 60A 2 ~ 150°C (TJ) PowerPAKR SO-8 46W dupl
Pacote:
PowerPAK® SO-8 duplo
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Transistor - FETs dos MOSFETs - disposições
Descrição do produto

                                                                  N-canal duplo 20 V do MOSFET do transistor SI7236DP-T1-GE3 (D-S) 20V 60A PPAK SO-8 0Folha de dados SI7236DP-T1-GE3
Detalhes do produto

CARACTERÍSTICAS

• Halogênio-livre de acordo com a definição do IEC 61249-2-21
• MOSFET do poder de TrenchFET®
• Complacente a RoHS 2002/95/EC diretivo

APLICAÇÕES

• DC/DC
• Poder do sistema do caderno
• POLÍTICO

 

Especificações

                                   
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM
Categoria de produto FETs - disposições
Série TrenchFET®
EmpacotamentoEmpacotamento alternativo
Parte-pseudônimosSI7236DP-GE3
Unidade-peso0,017870 onças
Montagem-estilo SMD/SMT
Pacote-caso PowerPAKR SO-8 duplo
TecnologiaSi
Operar-temperatura-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagem-tipo Montagem de superfície
Número--canais Canal 2
Fornecedor-Dispositivo-pacote PowerPAKR SO-8 duplo
Configuração Duplo
FET-tipoN-canal 2 (duplo)
Poder-máximo46W
Transistor-tipo N-canal 2
VDSS – tensão da Dreno-fonte20V
Capacidade entrada 4000pF @ 10V
FET-característicaPadrão
Current-Continuous-Drain-Id-25°C 60A
RDS-Em-Máximo-identificação-Vgs 5,2 mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs-th-Máximo-identificação1.5V @ 250μA
Porta-carga-Qg-Vgs 105nC @ 10V
Paládio-Poder-dissipação3,5 W
Temperatura de funcionamento máximo+ 150 C
Variação da temperatura de funcionamento- 55 C
Queda-tempo22 ns 10 ns
Elevação-tempo100 ns 15 ns
Vgs-Porta-Fonte-tensão 12 V
Identificação (corrente do dreno)A 20,7
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão20 V
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência 5,2 mOhms
Transistor-polaridade N-canal
Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo 80 ns 60 ns
Tempo de atraso de ligação 30 ns 10 ns
Canal-modoRealce

Descrições

Montagem de superfície PowerPAK do N-canal da disposição 2 do Mosfet 20V (duplo) 60A 46W? SO-8 duplo
MOSFET N-CH 20V 20.7A 8-Pin PowerPAK ASSIM T/R do transporte
MOSFET 20V 60A 46W 5.2mohm @ 4.5V

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
Q: Que é a garantia?
: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.

 
 

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