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Semicondutor discreto
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| Lugar de origem | Chamada |
| Marca | onsemi |
| Certificação | ROHS |
| Número do modelo | NDT02N40T1G |
Folha de dados de NDT02N40T1G
Detalhes do produto
Este MOSFET do N-canal foi projetado especificamente melhorar a eficiência total de conversores de DC/DC usando controladores síncronos ou convencionais do interruptor PWM. Foi aperfeiçoado para a baixa carga da porta, o baixo RDS (SOBRE) e a velocidade de comutação rápida.
· 21 A, 30 V RDS (SOBRE) = 35 mW @ VGS = 10 V
RDS (SOBRE) = 50 mW @ VGS = 4,5 V
· Baixa carga da porta (5nC típicos)
· Interruptor rápido
· Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
Aplicações
· Conversor de DC/DC
· Movimentações do motor
Especificações
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Semicondutor de Fairchild |
| Categoria de produto | FETs - únicos |
| Série | PowerTrench® |
| Empacotamento | Carretel |
| Parte-pseudônimos | FDD6630A_NL |
| Unidade-peso | 0,009184 onças |
| Montagem-estilo | SMD/SMT |
| Pacote-caso | TO-252-3 |
| Tecnologia | Si |
| Número--canais | 1 canal |
| Configuração | Único |
| Transistor-tipo | 1 N-canal |
| Paládio-Poder-dissipação | 28 W |
| Temperatura de funcionamento máximo | + 175 C |
| Variação da temperatura de funcionamento | - 55 C |
| Queda-tempo | 13 ns |
| Elevação-tempo | 8 ns |
| Vgs-Porta-Fonte-tensão | 20 V |
| Identificação (corrente do dreno) | 21 A |
| Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão | 30 V |
| RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência | 28 mOhms |
| Transistor-polaridade | N-canal |
| Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo | 17 ns |
| Tempo de atraso de ligação | 5 ns |
| Transcondutância | 13 S |
| Canal-modo | Realce |
Descrições
Quem nós somos?
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FAQ
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: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
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